Un nuevo enfoque para mejorar la velocidad de borrado en la memoria flash NAND 3D a la que se aplica una estructura Cell-On-Peri (COP) y un dispositivo de memoria ferroeléctrico
Autores: Choi, Seonjun; Jeong, Jae Kyeong; Kang, Myounggon; Song, Yun-heub
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un nuevo enfoque para mejorar la velocidad de borrado en la memoria flash NAND 3D a la que se aplica una estructura Cell-On-Peri (COP) y un dispositivo de memoria ferroeléctrico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Silicio en columna
Flash NAND 3D
Memoria ferroeléctrica
Estructura COP
Fuga de drenaje inducida por compuerta
Estructura SP
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone y verifica una estructura de Pilar de Silicio (SP), una nueva estructura para mejorar la velocidad de borrado en la estructura flash NAND 3D a la que se aplica la memoria ferroeléctrica.
Descripción
En este documento, se propone y verifica una estructura de Pilar de Silicio (SP), una nueva estructura para mejorar la velocidad de borrado en la estructura flash NAND 3D a la que se aplica la memoria ferroeléctrica.