El uso de un transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOS-FET) permite la rectificación de radiación electromagnética mediante la tecnología de circuitos integrados. Sin embargo, obtener un dispositivo de rectificación de alta eficiencia requiere la evaluación de un modelo físico capaz de proporcionar una explicación cualitativa y cuantitativa de los procesos involucrados. Durante mucho tiempo, la detección de alta frecuencia basada en la tecnología MOS se explicaba utilizando la teoría de detección de ondas de plasma. En este documento, revisamos el mecanismo de rectificación a la luz de simulaciones numéricicas de alta frecuencia, mostrando características nunca examinadas hasta ahora. Los resultados logrados cambian sustancialmente nuestra comprensión de la rectificación de terahercios (THz) en semiconductores, y pueden ser interpretados por el modelo basado en el proceso de auto-mezcla en el sustrato del dispositivo, proporcionando una herramienta nueva y esencial para diseñar este tipo de detector.