Nuevo metodología para extracción de resistencia parasitaria y corrección de capacitancia en transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN RF
Autores: Chakraborty, Surajit; Amir, Walid; Kwon, Hyuk-Min; Kim, Tae-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Nuevo metodología para extracción de resistencia parasitaria y corrección de capacitancia en transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN RF
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Resistencia de puerta
Resistencias parásitas
Transistores de alta movilidad electrónica
Condiciones de polarización directa de la puerta
Contacto Schottky
Condición de polarización en frío del FET
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un enfoque novedoso para la extracción eficiente de resistencias parásitas en transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs).
Descripción
Este documento presenta un enfoque novedoso para la extracción eficiente de resistencias parásitas en transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs).