Se realizó una investigación exhaustiva sobre la captura de hidrógeno para la formación de heteroagregados de AlGaN-H, Si-AlGaN-H, Ge-AlGaN-H, Pd-AlGaN-H y Pt-AlGaN-H utilizando cálculos de DFT en el nivel de teoría CAM-B3LYP-D3/6-311+G (d,p). La notable intensidad de la señal frágil cerca del borde paralelo de la muestra de nanoclúster podría deberse a la distribución no esférica inducida por la unión de silicio o germanio de los heteroagregados Si-AlGaN o Ge-AlGaN. Basándose en TDOS, la técnica de crecimiento excesivo de dopaje con silicio, germanio, paladio o platino es un enfoque potencial para diseñar dispositivos híbridos de nitruro de galio semipolares de alta eficiencia en una zona de longitud de onda larga. Por lo tanto, se puede considerar que los átomos de paladio o platino en los AlGaN funcionalizados con Pd o Pt podrían tener una sensibilidad más impresionante para aceptar los electrones en el proceso de adsorción de hidrógeno. Las ventajas del platino o paladio sobre el nitruro de galio de aluminio incluyen su mayor movilidad de electrones y huecos, lo que permite que los dispositivos de dopaje con platino o paladio operen a frecuencias más altas que los dispositivos de dopaje con silicio o germanio. De hecho, se puede observar que los heteroagregados dopados de Pd-AlGaN o Pt-AlGaN podrían mejorar la capacidad de AlGaN en las células de transistores para el almacenamiento de energía.