Multi-level switching de Al-Doped HfO RRAM con un solo pulso de conjunto de amplitud de voltaje
Autores: Lin, Jinfu; Wang, Shulong; Liu, Hongxia
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Multi-level switching de Al-Doped HfO RRAM con un solo pulso de conjunto de amplitud de voltaje
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Conmutación resistiva
Ajuste de conductancia
RRAM
Respuesta impulsiva
Algoritmo de programación
Aplicaciones neuromórficas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se investigan las características de conmutación resistiva en una estructura en sándwich Ti/HfO: Al/Pt para funciones inherentes de ajuste gradual de conductancia.
Descripción
En este documento, se investigan las características de conmutación resistiva en una estructura en sándwich Ti/HfO: Al/Pt para funciones inherentes de ajuste gradual de conductancia.