Se presenta un módulo de amplificador de potencia (PA) de radiofrecuencia (RF) de banda múltiple mejorado en robustez aplicable a teléfonos móviles, que deben resistir un cambio serio de impedancia de carga bajo condiciones extremas de potencia y polarización. En este método, la impedancia de carga del PA se ajusta de manera adaptativa con un corrector de impedancia controlado digitalmente para mantener seguro el PA realizando una detección de desajuste de carga. El detector de desajuste de impedancia, corrector de impedancia y otros interruptores de RF se integraron en un solo circuito integrado (CI) utilizando tecnología de semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) de silicio sobre aislante (SOI). Con fines de verificación, se fabricó un módulo de PA de transistor bipolar de unión hetero de 2 etapas que adopta este método. A una frecuencia de 1915 MHz, un voltaje de polarización del colector de 4.2 V y sobre un rango más amplio de variación de impedancia de carga entre un VSWR de 1 y un VSWR de 5.5, no falló. Cuando esta técnica no se aplicó con un rango de relación de onda estacionaria de voltaje (VSWR) de 1 a 4, resultó en una degradación aceptable del rendimiento de RF del 1% de eficiencia de potencia añadida (PAE) en modo de seguimiento de envolvente (ET). Además, sobrevivió con un voltaje de polarización 1V mayor que cuando la técnica no se aplicó para la misma condición de desajuste.