Un modulador delta-sigma de rango dinámico de 1,2 V y 92 dB basado en un inversor de ganancia mejorada de oscilación de salida
Autores: Wu, Honghao; Li, Wenchang; Zhang, Tianyi; Li, Guanqi; Liu, Jian
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Un modulador delta-sigma de rango dinámico de 1,2 V y 92 dB basado en un inversor de ganancia mejorada de oscilación de salida
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Modulador analógico a digital delta-sigma
Salida mejorada de swing
Aplicaciones de baja tensión y bajo consumo de energía
Dispositivos portátiles
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 44
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo presenta un modulador analógico-digital Delta-Sigma de tercer orden, de avance, de un solo bit, basado en un inversor de aumento de ganancia mejorado de oscilación de salida para aplicaciones de baja potencia y voltaje, como dispositivos portátiles, salud móvil y el Internet de las Cosas (IoT). La estructura propuesta de aumento de oscilación de salida aborda la reducción de oscilación de salida en la estructura convencional al tiempo que logra una alta ganancia de CC y una gran oscilación de salida simultáneamente. Implementado en un proceso CMOS de 180 nm, el chip completo se compone de un modulador delta-sigma, un oscilador y una referencia de corriente. Logra una relación señal-ruido máxima de 86.1 dB y un rango dinámico (DR) de 92 dB con un ancho de banda de señal de 1.95 kHz. El chip completo disipa 54.5 W, lo que resulta en una Figura de Mérito de Schreier (FoM) de 167.6 dB.
Descripción
Este artículo presenta un modulador analógico-digital Delta-Sigma de tercer orden, de avance, de un solo bit, basado en un inversor de aumento de ganancia mejorado de oscilación de salida para aplicaciones de baja potencia y voltaje, como dispositivos portátiles, salud móvil y el Internet de las Cosas (IoT). La estructura propuesta de aumento de oscilación de salida aborda la reducción de oscilación de salida en la estructura convencional al tiempo que logra una alta ganancia de CC y una gran oscilación de salida simultáneamente. Implementado en un proceso CMOS de 180 nm, el chip completo se compone de un modulador delta-sigma, un oscilador y una referencia de corriente. Logra una relación señal-ruido máxima de 86.1 dB y un rango dinámico (DR) de 92 dB con un ancho de banda de señal de 1.95 kHz. El chip completo disipa 54.5 W, lo que resulta en una Figura de Mérito de Schreier (FoM) de 167.6 dB.