Los materiales de dicalcogenuro de metales de transición se estudian para investigar avenidas de investigación inexploradas, como el comportamiento del transporte de espín en materiales bidimensionales debido a su fuerte interacción espín-órbita (SOI) y el efecto de proximidad en heteroestructuras de van der Waals (vdW). Las interacciones interfaciales entre el grafeno de doble capa (BLG) y el disulfuro de tungsteno de capa múltiple (ML-WS) dan lugar a propiedades fascinantes para la realización de dispositivos espintrónicos avanzados. En este estudio, se fabricó un transistor de efecto de campo espintrónico de heteroestructura vdW BLG/ML-WS para demostrar la modulación de compuerta de SOI tipo Rashba y el ángulo de precesión de espín. La modulación de compuerta de SOI tipo Rashba y precesión de espín ha sido confirmada utilizando la medición de Hanle. El cambio en el ángulo de precesión de espín concuerda bien con las señales locales y no locales del BLG/ML-WS spin FET. Se demuestra con éxito el funcionamiento de un spin FET en ausencia de un campo magnético a temperatura ambiente.