Modelo simple y preciso para el retardo de propagación en puertas MCML
Autores: Giustolisi, Gianluca; Scotti, Giuseppe; Palumbo, Gaetano
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Modelo simple y preciso para el retardo de propagación en puertas MCML
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Modelo
Compuertas MCML
Retardo de propagación
Lineal
Simulaciones
Procesos de nanómetros
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
En este artículo, desarrollamos un modelo simple y preciso para evaluar la demora de propagación en compuertas de Lógica de Modo de Corriente MOS (MCML). El modelo describe el comportamiento de las compuertas MCML de manera lineal a pesar de que los circuitos en sí mismos son no lineales. De hecho, demostramos que se puede utilizar un modelo lineal, siempre y cuando, para cada parámetro de pequeña señal, se utilice su valor promedio calculado entre los dos estados lógicos de conmutación diferentes. El modelo propuesto se valida a través de simulaciones de compuertas universales MCML diseñadas utilizando procesos nanométricos modernos. El modelo pronostica valores simulados con un error inferior al 4% y 20% en CMOS estándar de 65 nm y Silicio-Sobre-Aislante Totalmente Agotado (FD-SOI) de 28 nm, respectivamente.
Descripción
En este artículo, desarrollamos un modelo simple y preciso para evaluar la demora de propagación en compuertas de Lógica de Modo de Corriente MOS (MCML). El modelo describe el comportamiento de las compuertas MCML de manera lineal a pesar de que los circuitos en sí mismos son no lineales. De hecho, demostramos que se puede utilizar un modelo lineal, siempre y cuando, para cada parámetro de pequeña señal, se utilice su valor promedio calculado entre los dos estados lógicos de conmutación diferentes. El modelo propuesto se valida a través de simulaciones de compuertas universales MCML diseñadas utilizando procesos nanométricos modernos. El modelo pronostica valores simulados con un error inferior al 4% y 20% en CMOS estándar de 65 nm y Silicio-Sobre-Aislante Totalmente Agotado (FD-SOI) de 28 nm, respectivamente.