La simulación precisa de fallas y la predicción de fallos han sido desafíos durante mucho tiempo para los usuarios de MOSFET de SiC. Este documento presenta un modelo de comportamiento de MOSFET de doble implante de Carburo de Silicio (SiC) (DMOSFET), considerando fallas por sobrecalentamiento en cortocircuito y fallas por avalancha sobre la base de procesos físicos a nivel de celda. El modelo propuesto puede simular las fallas con una precisión extremadamente alta y predecir con precisión el tiempo de resistencia al cortocircuito y la energía crítica de avalancha del DMOSFET de SiC.