Modelo de resistencia de contacto en paralelo para FET de puerta trasera de material 2D con contacto en el borde
Autores: Cai, Fei; Deng, Guangsheng; Li, Xiangxiang; Lin, Fujiang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Modelo de resistencia de contacto en paralelo para FET de puerta trasera de material 2D con contacto en el borde
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Ajustar la brecha de banda
Alta relación de movilidad
Bipolar
Anisotropía
Caracteres de flexibilidad
Electrodo de contacto en el borde
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 40
Citaciones: Sin citaciones
Debido a que los materiales 2D tienen una banda prohibida ajustable, una alta relación de movilidad, caracteres bipolares, anisotropía y flexibilidad, se han convertido en la nueva dirección para los materiales de canal de los FET.
Descripción
Debido a que los materiales 2D tienen una banda prohibida ajustable, una alta relación de movilidad, caracteres bipolares, anisotropía y flexibilidad, se han convertido en la nueva dirección para los materiales de canal de los FET.