En esta parte, proponemos una estrategia paso a paso para modelar los factores de acoplamiento térmico estático entre los dedos en una estructura de transistor bipolar multifinger basada en silicio. Primero proporcionamos una formulación basada en la física para determinar los factores de acoplamiento en una estructura multifinger sin aislamiento de trinchera. Como segundo paso, utilizando el valor de , proponemos una formulación para estimar el factor de acoplamiento en una estructura multifinger con solo aislamientos de trinchera poco profundos. Finalmente, se presenta el modelo de factor de acoplamiento para un dispositivo multifinger aislado con trincheras profundas y poco profundas. La técnica de modelado propuesta toma como entradas las dimensiones de los dedos del emisor, los aislamientos de trinchera poco profundos y profundos, sus ubicaciones relativas y la conductividad térmica del material dependiente de la temperatura. Los coeficientes de acoplamiento obtenidos del modelo se validan con simulaciones TCAD 3D de transistores bipolares multifinger con y sin aislamientos de trinchera. También se demuestra la escalabilidad de la geometría del modelo.