En este trabajo se presenta un modelo novedoso que describe los procesos de difusión térmica a través de materiales semiconductores no locales. El material en estudio está sujeto a la influencia de un fuerte campo magnético, que crea una corriente de Hall. Se observó la interferencia entre los electrones excitados y los huecos excitados de un semiconductor no local que había sido expuesto a temperatura, y se tuvo en cuenta la conductividad térmica dependiendo de los cambios en la temperatura graduada. Las ecuaciones gobernantes están escritas en una forma adimensional en una dimensión (1D) donde la conductividad térmica se toma como una función de la temperatura a través de procesos de deformación electrónica y elástica (ED y ED). Se utilizaron transformadas de Laplace en una dimensión con condiciones iniciales para convertir ecuaciones diferenciales parciales y llegar a fórmulas exactas de soluciones. Para obtener las soluciones lineales exactas, se utilizaron algunas condiciones límite en la superficie libre del semiconductor no local. Utilizando métodos numéricos de transformadas inversas de Laplace, se obtuvieron las soluciones completas de las cantidades físicas en estudio. Para comprender mejor cómo varias variables (memoria térmica, conductividad térmica variable y corriente de Hall) afectan al semiconductor no local, se simularon campos físicos numéricos, y se representan gráficamente y se discuten aquí.