En este trabajo, se utiliza el nuevo modelo de ondas fototérmicas y elásticas, con y sin disipación de energía, bajo un modelo hiperbólico de dos temperaturas, para calcular el desplazamiento, la densidad de portadores, la temperatura termodinámica, la temperatura conductiva y el estrés en un medio semiconductor. El medio se considera en presencia del acoplamiento de las ondas de plasma y termoelásticas. Para obtener las expresiones analíticas completas de los principales campos físicos, se utilizan transformadas de Laplace y el esquema de valores propios. Los resultados se presentan gráficamente para mostrar las diferencias entre la teoría clásica de dos temperaturas y la nueva teoría hiperbólica de dos temperaturas, con y sin disipación de energía. Basándose en los resultados numéricos, la teoría termoelástica de dos temperaturas hiperbólica ofrece una velocidad finita de las ondas mecánicas y la propagación de las ondas térmicas.