Este documento presenta un modelo escalable agrupado para inductores en espiral en una tecnología de nitruro de galio (GaN) de radiofrecuencia (RF) en sustrato de silicio. El modelo ha sido desarrollado mediante la explotación de simulaciones electromagnéticas de inductores en espiral escalados geométricamente. Con este fin, el sustrato de la tecnología, es decir, la línea de respaldo de metal junto con las capas dieléctricas y semiconductores del proceso de GaN adoptado, ha sido validado mediante datos experimentales y luego utilizado para definir la configuración del simulador electromagnético para los inductores en espiral. El modelo propuesto adopta una topología simple con solo siete componentes agrupados y predice el rendimiento del inductor en términos de inductancia, factor de calidad (Q) y frecuencia de autoresonancia (f0) para una amplia gama de parámetros geométricos de la espiral (es decir, número de vueltas, ancho del metal, diámetro interno).