Presentamos un modelo de núcleo compacto para transistores MOSFET de doble compuerta (DGFET) y compuerta circundante (SGFET) diseñado para simulaciones de circuitos. A pesar de su alta precisión, el modelo está elaborado para mantener la misma formulación analítica del estándar de la industria Pennsylvania State y Philips (PSP). En lugar de linealizar la corriente de drenaje como en el modelo PSP, empleamos una interpolación polinómica simétrica cuadrática de la carga en el canal. Esto elimina la necesidad de derivadas engorrosas, simplificaciones y codificación intrincada al integrarse en un simulador de circuitos, evitando así singularidades durante las iteraciones numéricas. Además, gracias a su formulación matemática equivalente a PSP, este modelo simplifica la codificación de cargas terminales, capacitancias, potenciales y campos eléctricos en el canal dentro de simuladores de circuitos. Validamos la precisión del modelo mediante comparaciones con soluciones numéricas y experimentos de la literatura.