Este documento presenta un modelo de señal grande escalado de GaN-HEMT basado en simulación EM. Un modelo de señal grande del GaN-HEMT de 10 dedos consta de un modelo de señal grande del GaN-HEMT de dos dedos y un circuito equivalente del circuito de interconexión. El circuito equivalente del circuito de interconexión fue extraído según los resultados de la simulación EM. El modelo de señal grande para el dispositivo de dos dedos se basa en el modelo de corriente de canal convencional de Angelov. El modelo de señal grande para el dispositivo de 10 dedos fue verificado a través de una medición de carga-pull. El GaN-HEMT de 10 dedos produjo una potencia de salida de aproximadamente 20 W tanto para la simulación como para las mediciones de carga-pull.