Modelo de corriente de fuga de puerta de CC que tiene en cuenta los efectos de atrapamiento en HEMTs de AlGaN/GaN
Autores: Rodríguez, Raúl; González, Benito; García, Javier; Toulon, Gaetan; Morancho, Frédéric; Núñez, Antonio
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2018
Acceso abierto
Artículo científico
2018
Modelo de corriente de fuga de puerta de CC que tiene en cuenta los efectos de atrapamiento en HEMTs de AlGaN/GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Corriente de fuga
Efectos de atrapamiento
AlGaN/GaN HEMTs
Simulaciones numéricas TCAD
Corriente de fuga de compuerta
Verilog-A
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 20
Citaciones: Sin citaciones
Se ha desarrollado un modelo de corriente de fuga de CC que tiene en cuenta los efectos de atrapamiento bajo la compuerta de HEMTs de AlGaN/GaN en silicio. Basado en simulaciones numéricas de TCAD (con Sentaurus Device), es necesario el túnel no local bajo la compuerta Schottky para reproducir las características de transferencia medidas en un régimen de subumbral. Una vez que se determina la concentración y distribución de trampas en el dispositivo, la corriente de fuga de compuerta resultante se modela utilizando Verilog-A, para regímenes de operación típicos.
Descripción
Se ha desarrollado un modelo de corriente de fuga de CC que tiene en cuenta los efectos de atrapamiento bajo la compuerta de HEMTs de AlGaN/GaN en silicio. Basado en simulaciones numéricas de TCAD (con Sentaurus Device), es necesario el túnel no local bajo la compuerta Schottky para reproducir las características de transferencia medidas en un régimen de subumbral. Una vez que se determina la concentración y distribución de trampas en el dispositivo, la corriente de fuga de compuerta resultante se modela utilizando Verilog-A, para regímenes de operación típicos.