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Un modelo complejo a través de distribuciones de tipo fase para estudiar el ruido de telegrafía aleatorio en memorias resistivas

Autores: Ruiz-Castro, Juan E.; Acal, Christian; Aguilera, Ana M.; Roldán, Juan B.

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2021

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Acceso abierto

Artículo científico
2021

Un modelo complejo a través de distribuciones de tipo fase para estudiar el ruido de telegrafía aleatorio en memorias resistivas


Categoría

Matemáticas

Subcategoría

Matemáticas generales

Palabras clave

Nuevo proceso estocástico
Macroestados
Tiempo de permanencia
Transformada de Laplace
Ruido de telegrafía aleatorio

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 21

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Se desarrolló un nuevo proceso estocástico considerando el rendimiento interno de macroestados en los que el tiempo de permanencia en cada uno está distribuido en fase tipo dependiendo del tiempo. Se calculó la distribución estacionaria a través de métodos matriciales y se trabajaron múltiples medidas interesantes. Se analizó la distribución del número de visitas a un macroestado determinado a partir de las ecuaciones diferenciales respectivas y la transformada de Laplace. Se proporcionó el número medio de visitas a un macroestado entre dos tiempos. Los resultados se implementaron computacionalmente y se aplicaron con éxito para estudiar el ruido de telegrafía aleatorio (RTN) en memorias resistivas. RTN es una preocupación importante en la operación de la memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM). Por un lado, podría limitar algunas de las aplicaciones tecnológicas de estos dispositivos; por otro lado, RTN puede usarse para la caracterización física. Por lo tanto, un análisis estadístico en profundidad para modelar el comportamiento de estos dispositivos es de importancia esencial.

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