Los dispositivos FDSOI (Silicio Sobre Aislante Totalmente Depletado) tienen un buen rendimiento en circuitos anti-eventos únicos. Sin embargo, el efecto de amplificación bipolar se convierte en un problema grave debido al óxido enterrado. Los modelos anteriores para Transitorios de Eventos Únicos (SET) de FDSOI no consideraron completamente la corriente de todos los componentes. Lo más importante es que no tuvieron en cuenta la influencia del voltaje de la compuerta trasera. Por lo tanto, este artículo presenta un método de modelado para la corriente SET en el MOSFET FDSOI donde los tres componentes se modelan individualmente. La corriente instantánea y la corriente de difusión se modelan con una fuente de corriente respectivamente. El modelo Berkeley Short-channel IGFET para Silicio sobre Aislante (BSIMSOI) se integra en este modelo para calcular la corriente de amplificación bipolar. En comparación con el uso del modelo de transistor bipolar, este método evita la entrada de corriente adicional desde el electrodo base. Es más consistente con el mecanismo del efecto de amplificación bipolar para dispositivos FDSOI sin contacto con el cuerpo. Instantáneamente, se propone un modelo mejorado que considera la influencia del voltaje de la compuerta trasera en el SET de los dispositivos FDSOI. Todos los modelos se validan a través de los resultados de simulación de Diseño Asistido por Computadora de Tecnología (TCAD).