Aplicación de la dispersión de campo de Coulomb de polarización a un modelo compacto basado en física para HFETs de AlGaN/GaN con características I-V
Autores: Yang, Yongxiong; Lv, Yuanjie; Lin, Zhaojun; Jiang, Guangyuan; Liu, Yang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Aplicación de la dispersión de campo de Coulomb de polarización a un modelo compacto basado en física para HFETs de AlGaN/GaN con características I-V
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Modelo basado en física
Características de corriente-voltaje de salida
AlGaN/GaN HFETs
Dispersión de Campo Coulomb de Polarización
Movilidad electrónica del canal
Polarización de compuerta
Licencia
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Citaciones: Sin citaciones
Se desarrolla un modelo basado en la física para las características corriente-voltaje (I-V) de los HFETs de AlGaN/GaN basado en HFETs de AlGaAs/GaAs. Se demuestra que el efecto de dispersión del Campo Coulombiano de Polarización (PCF) influye en gran medida en la movilidad de electrones del canal. Con diferentes polarizaciones de puerta, la movilidad de electrones del canal varía por la dispersión de PCF. Además, una polarización de puerta más negativa y una menor proporción de (longitud de puerta/espacio fuente-drenaje) del dispositivo hace que la dispersión de PCF tenga una influencia más fuerte en la movilidad de electrones del canal. Este trabajo es el primero en aplicar la dispersión de PCF a un modelo basado en la física para HFETs de AlGaN/GaN con características I-V y los resultados indican que la dispersión de PCF es esencial para que un modelo basado en la física identifique las características I-V de los HFETs de AlGaN/GaN.
Descripción
Se desarrolla un modelo basado en la física para las características corriente-voltaje (I-V) de los HFETs de AlGaN/GaN basado en HFETs de AlGaAs/GaAs. Se demuestra que el efecto de dispersión del Campo Coulombiano de Polarización (PCF) influye en gran medida en la movilidad de electrones del canal. Con diferentes polarizaciones de puerta, la movilidad de electrones del canal varía por la dispersión de PCF. Además, una polarización de puerta más negativa y una menor proporción de (longitud de puerta/espacio fuente-drenaje) del dispositivo hace que la dispersión de PCF tenga una influencia más fuerte en la movilidad de electrones del canal. Este trabajo es el primero en aplicar la dispersión de PCF a un modelo basado en la física para HFETs de AlGaN/GaN con características I-V y los resultados indican que la dispersión de PCF es esencial para que un modelo basado en la física identifique las características I-V de los HFETs de AlGaN/GaN.