Se desarrolló un modelo analítico compacto de transferencia de corriente para estimar las características de los dispositivos heteroestructurados. La ausencia de factores de corrección empíricos y la contabilización explícita de la interacción interelectrónica lo diferencia de modelos similares anteriores. El modelo obtiene una estimación de la densidad de electrones en el pozo cuántico del canal heteroestructural y aplica una corrección autoconsistente para los niveles de resonancia. También proporciona precisión en la región de resistencia diferencial positiva de las características I-V en las estructuras de AlGaAs, con un error relativo promedio que no supera el 2%. La complejidad temporal de los cálculos de las características I-V utilizando este modelo es varias órdenes de magnitud menor que la de los cálculos utilizando modelos ab initio. Su alta precisión y baja complejidad temporal de cálculo de las características I-V permiten integrar este modelo en sistemas para el diseño y cálculo de indicadores de confiabilidad de dispositivos, incluidos dispositivos de terahercios.