Se propone y compara un modelo analítico basado en el potencial de superficie de los MOSFET de silicio sobre aislante (SOI) de un solo gate (SG) en modo de agotamiento completo (FD) con datos numéricos y resultados experimentales de Khandelwal. Se demuestra un esquema de cálculo explícito del potencial de superficie, que procesa una alta precisión y eficiencia computacional, de acuerdo con la derivación de la relación de acoplamiento entre el potencial de superficie y el potencial del canal posterior. El error absoluto máximo disminuye a una escala de 10 V y la eficiencia computacional mejora sustancialmente en comparación con la iteración numérica. Dependiendo del potencial de superficie, se deriva la corriente de drenaje en forma cerrada y se valida con los datos experimentales de Khandelwal. La alta precisión y eficiencia computacional sugieren que este modelo analítico muestra un gran potencial para las optimizaciones de dispositivos SOI y las simulaciones de circuitos.