Modelo analítico de corriente de drenaje para transistores de película delgada a-SiGe:H considerando la densidad de estados
Autores: Salas-Rodríguez, Silvestre; López-Huerta, Francisco; Herrera-May, Agustín L.; Molina-Reyes, Joel; Martínez-Castillo, Jaime
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Modelo analítico de corriente de drenaje para transistores de película delgada a-SiGe:H considerando la densidad de estados
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistores de película delgada
Sustratos flexibles
A-SiGe:H
Alto rendimiento
Modelo analítico
Electrónica de gran área
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de película delgada (TFT) fabricados en sustratos flexibles y de gran área han sido estudiados con gran interés debido a sus futuras aplicaciones.
Descripción
Los transistores de película delgada (TFT) fabricados en sustratos flexibles y de gran área han sido estudiados con gran interés debido a sus futuras aplicaciones.