Los transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFETs) han sido estudiados recientemente con gran interés debido a las propiedades intrigantes del material que, a su vez, conducen a propiedades notables del transporte de carga del canal del dispositivo. Agua abajo de las simulaciones de onda completa, la construcción de modelos de dispositivo equivalentes se convierte en el paso básico para el diseño avanzado de circuitos y sistemas de nanoelectrónica basados en CNTFET de alto rendimiento. En esta contribución, presentamos una estrategia para derivar un modelo compacto para un CNTFET que se basa en la simulación de onda completa de la geometría en 3D mediante el uso del método de elementos finitos, seguido por la derivación de un modelo de circuito compacto y la extracción de parámetros equivalentes. Mostramos ejemplos de simulaciones de CNTFET y extraemos de ellas los parámetros de ajuste del modelo. El objetivo es lograr una descripción completamente funcional en el lenguaje Verilog-A y crear una biblioteca de modelos para el entorno del simulador tipo SPICE, para ser utilizada por diseñadores de IC.