Modelando la impedancia térmica de dispositivos IGBT basada en técnicas de cálculo fraccional
Autores: Yang, Nan; Yang, Zhikui; Huang, Yaoling; Yang, Wen; Liu, Wei; Chen, Xi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Modelando la impedancia térmica de dispositivos IGBT basada en técnicas de cálculo fraccional
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Impedancia térmica
Transistor bipolar de puerta aislada
Modelo equivalente de orden fraccionario
Procesos de conducción de calor
Modelo de red térmica Foster
Identificación de parámetros.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 25
Citaciones: Sin citaciones
Las características de impedancia térmica de los módulos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) son críticas para la gestión térmica y el diseño de dispositivos electrónicos.
Descripción
Las características de impedancia térmica de los módulos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) son críticas para la gestión térmica y el diseño de dispositivos electrónicos.