Se propone un método avanzado para modelar dispositivos de radiofrecuencia (RF) basado en una técnica de aprendizaje profundo para predecir con precisión los parámetros S. Los parámetros S de los dispositivos de RF calculados por solucionadores electromagnéticos de onda completa junto con la geometría metálica de la estructura, la permitividad y el grosor de las capas dieléctricas de los dispositivos de RF se utilizan parcialmente como datos de entrenamiento y parcialmente como datos de prueba para la estructura de aprendizaje profundo.