Con el desarrollo de dispositivos electrónicos de potencia de alta frecuencia, miniaturizados y ligeros, los dispositivos semiconductores de tercera generación son cada vez más utilizados en los circuitos principales de convertidores electrónicos de potencia. La interferencia electromagnética (EMI) generada por su conmutación rápida puede afectar el rendimiento de los convertidores electrónicos de potencia. Por lo tanto, es necesario investigar los métodos de modelado y supresión del ruido conducido en convertidores electrónicos de potencia de dispositivos semiconductores de tercera generación. Este documento describe las fuentes de EMI y los caminos de acoplamiento de EMI en dispositivos semiconductores de tercera generación utilizados en convertidores electrónicos de potencia. Los métodos de modelado de EMI se resumen desde las perspectivas de dispositivos de potencia y caminos de acoplamiento. Los métodos de supresión del ruido conducido se resumen mediante la supresión de fuentes de EMI y la mejora de las características del camino de acoplamiento. Este documento proporciona una referencia para el diseño de compatibilidad electromagnética de convertidores electrónicos de potencia para dispositivos semiconductores de tercera generación.