La integración en chip de un inductor de potencia junto con otros componentes del convertidor de potencia de tamaños pequeños y corrientes de saturación altas, manteniendo un valor de inductancia deseado o alto, es perseguido aquí. El uso de núcleos magnéticos blandos aumenta la densidad de inductancia pero resulta en una corriente de saturación reducida. Este artículo presenta un modelo físico 3D y un modelo de circuito magnético para un inductor de potencia integrado en chip (OPI) para duplicar la corriente de saturación utilizando material de imán permanente (PM). Un inductor de potencia en chip de imán permanente en espiral de ~50 nH, 7.5 A (PMOI) es diseñado aquí, y un modelo físico 3D es luego desarrollado y simulado usando el paquete de software ANSYS/Maxwell (versión 2017.1). Los resultados de simulación del modelo físico 3D concuerdan con el modelo de circuito magnético presentado, y muestran que en el diseño de ejemplo de PMOI, la adición del PM aumenta la corriente de saturación del OPI de 4 A a 7.5 A, mientras que el tamaño y el valor de inductancia permanecen sin cambios.