Estudio de modelado y simulación de dispositivos TCAD de un sensor de pH basado en transistores de efecto de campo orgánicos con sensibilidad ajustable para superar el límite de Nernst
Autores: Majeed, Lubna; Amin, Syed Intekhab; Rasool, Zuber; Bashir, Ishrat; Kumar, Naveen; Anand, Sunny
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Estudio de modelado y simulación de dispositivos TCAD de un sensor de pH basado en transistores de efecto de campo orgánicos con sensibilidad ajustable para superar el límite de Nernst
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Doble compuerta
Transistor de efecto de campo orgánico
Sensor de pH
Sensibilidad
Dieléctricos de alta k
Aplicaciones flexibles de detección
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Se propone un sensor de pH basado en un transistor de efecto de campo orgánico de doble compuerta (DG-OFET) que podrá detectar las variaciones en el medio acuoso (electrolito).
Descripción
Se propone un sensor de pH basado en un transistor de efecto de campo orgánico de doble compuerta (DG-OFET) que podrá detectar las variaciones en el medio acuoso (electrolito).