En el presente estudio, la estructura de diseño de un n-MOSFET, que es vulnerable a la radiación, fue diseñada de manera diferente para mejorar su tolerancia a la radiación. Se realizó una evaluación de daños por radiación utilizando técnicas de modelado y simulación (M&S) antes de la fabricación del proceso semiconductor real y las pruebas de radiación para verificar sus propiedades de tolerancia. Basándose en las técnicas de M&S, se determinó el papel de cada capa para mejorar la tolerancia a la radiación de los semiconductores, y se optimizó el diseño de la disposición de un n-MOSFET con tolerancia mejorada a la radiación. El diseño optimizado del n-MOSFET tolerante a la radiación se implementó en el proceso de bulk CMOS de 0.18 um, y se realizaron pruebas de exposición a la radiación en el dispositivo. Se aplicó una dosis acumulativa de radiación de hasta 2 Mrad(Si) para verificar su rendimiento tolerante a la radiación. El desarrollo de nuevos dispositivos utilizando técnicas de M&S para evaluar los daños por radiación permite obtener estimaciones fiables de sus propiedades eléctricas y tolerantes a la radiación antes del proceso de fabricación real, minimizando así los costos y el tiempo de desarrollo.