Los modelos eléctricos juegan un papel crucial en la evaluación de la sensibilidad a la radiación de los dispositivos. Sin embargo, dado que generalmente no se proporcionan a los usuarios finales, es esencial contar con enfoques de modelado alternativos para optimizar el diseño del circuito antes de las pruebas de irradiación y para apoyar la comprensión de los datos posteriores a la irradiación. Este trabajo propone una metodología simplificada novedosa para evaluar la sección transversal de efectos de evento único (SEEs). Para validar el enfoque propuesto, consideramos la celda 6T SRAM como un estudio de caso en cuatro nodos tecnológicos. El modelado considera características de diseño y el perfil de dopaje, presentando formas de estimar parámetros desconocidos. La precisión y las limitaciones se determinan comparando nuestras simulaciones con datos experimentales reales. Los resultados demostraron una fuerte correlación con los datos de irradiación, sin necesidad de ajustar los resultados de la simulación o acceder a los datos del kit de diseño de proceso (PDK). Esto demuestra que nuestro enfoque es un método confiable para calcular la sección transversal de error de evento único (SEU) para la irradiación con iones pesados.