Este documento presenta y discute el modelado cuidadoso de un Diodo sin Polarización, incluyendo fuentes de ruido de baja frecuencia, proporcionando un modelo global compatible con técnicas de unión por alambre y de montaje de flip-chip. El modelo está destinado a cubrir desde el comportamiento de CC hasta la banda W, y se basa en mediciones de CC, capacitancia versus voltaje, así como mediciones de armónicos de barrido de dispersión y potencia. Se hizo un uso intensivo de herramientas de simulación electromagnética en 3D, como HFSS, para respaldar el modelado de parásitos del Diodo sin Polarización y el modelado de placas de microstrip. Las mediciones se comparan con las simulaciones y se discuten. Los modelos proporcionarán un soporte útil para los diseños de detectores en la banda W.