Describimos el enfoque Monte Carlo multivalle/multisubbanda (MV-MSMC) para modelar MOSFETs a escala nanométrica con semiconductores de tipo III-V como material de canal. Este enfoque describe la cuantización de portadores normal a la dirección del canal, resolviendo la ecuación de Schrödinger mientras que el transporte fuera del equilibrio es capturado por la ecuación de transporte de Boltzmann multivalle/multisubbanda. En este documento, delineamos una metodología para incluir efectos cuánticos a lo largo de la dirección de transporte (es decir, la transferencia de fuente a drenaje) y proporcionamos verificación del modelo mediante comparación con resultados de la Función de Green fuera del equilibrio para MOSFETs a escala nanométrica con canales de InAs e InGaAs. Se muestra entonces cómo utilizar el MV-MSMC para calibrar una plataforma de simulación de Diseño Asistido por Computadora de Tecnología (TCAD) basada en el modelo de deriva-difusión que permite simulaciones mucho más rápidas y abre las puertas a estudios de variabilidad en MOSFETs de canal III-V.