El artículo propone un modelo electro-térmico compacto del módulo IGBT en forma de un subcircuito para SPICE. Este modelo tiene en cuenta simultáneamente los fenómenos eléctricos que ocurren en los componentes del módulo y los fenómenos térmicos que tienen lugar en este módulo. En la descripción de los fenómenos eléctricos, se utilizan los modelos previamente formulados del IGBT y el diodo, mientras que la descripción de los fenómenos térmicos es original. Al describir los fenómenos térmicos, se tienen en cuenta el auto-calentamiento en cada componente, los acoplamientos térmicos mutuos entre cada par de estos componentes y la influencia de la potencia disipada en la eficiencia de la eliminación de calor. Se presenta la forma del modelo propuesto y los resultados de su verificación experimental para el módulo IGBT operando bajo diferentes condiciones de enfriamiento. Se presentan las características DC del módulo y las características del convertidor de semipuente que contiene el módulo considerado.