Desde las perspectivas de datos caracterizados, simulaciones TCAD calibradas y modelado compacto, presentamos una investigación más profunda del comportamiento de muy alta frecuencia de los transistores bipolares de heterounión de silicio germanio (SiGe HBT) de última generación fabricados con tecnología de proceso BiCMOS de 55 nm de STMicroelectronics. La plataforma de simulación TCAD está adecuadamente calibrada con las mediciones para ayudar en la extracción de unos pocos parámetros de alta frecuencia seleccionados del modelo compacto de última generación HICUM, que de otra manera serían difíciles de extraer de las estructuras de prueba preparadas tradicionalmente. Se presentan estrategias basadas en la física para extraer los parámetros de alta frecuencia seguidos de un estudio de sensibilidad para ver los efectos de las variaciones de los parámetros de alta frecuencia en ciertas características dependientes de la frecuencia hasta 500 GHz. Finalmente, el modelo HICUM implementado se evalúa frente a los parámetros medidos de los SiGe HBT investigados hasta 500 GHz.