En este documento se propone una metodología para diseñar un modelo distribuido para un transformador de asimetría coplanar en proceso de nitruro de galio (GaN), que puede caracterizar con precisión las características del transformador hasta una banda de ondas milimétricas. El documento analiza un circuito de emparejamiento basado en transformadores y propone un procedimiento práctico de diseño de transformadores. Se informa aquí de un amplificador de potencia (PA) de banda X de dos etapas basado en emparejamiento de transformadores. El uso del modelo de transformador propuesto y del procedimiento de diseño de transformador correlacionado puede reducir drásticamente el período de diseño esquemático y el tiempo de proceso óptimo. El chip de PA está diseñado en un proceso de tecnología de GaN de 0.25 um y ocupa un área de 1.515 mm. Con un suministro de 28 V, la ganancia y la potencia de salida del PA alcanzan 15 dB y 29 dBm respectivamente, y el transformador de emparejamiento de banda ancha alcanza un ancho de banda del 47.6%. Hasta donde sabemos, el modelo distribuido para el transformador de asimetría coplanar y el PA MMIC de banda X basado en transformadores en proceso de GaN en este trabajo es el primer caso entre los documentos reportados.