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Modelado del Comportamiento de Magnetoconductividad (MC) en p-Si/SiGe/Si Diluido

Autores: Mabchour, Hamza; Essakali, Yassine; El Hassan, Mounir; Elouaham, Samir; Nassiri, Boujemaa; Dlimi, Said; El Kaaouachi, Abdelhamid

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2025

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Acceso abierto

Artículo científico
2025

Modelado del Comportamiento de Magnetoconductividad (MC) en p-Si/SiGe/Si Diluido


Categoría

Ciencias de los Materiales

Subcategoría

Materiales electrónicos, ópticos y magnéticos

Palabras clave

Estudio
Magnetoconductividad
2d
Sistema p-si/sige/si
Modelo teórico
Localización débil
Interacción electrón-electrón
Efecto Zeeman
Campo magnético
Datos experimentales
Comparación
Comprensión física.

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 18

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En este estudio, investigamos el comportamiento de la magnetoconductividad en un sistema 2D p-Si/SiGe/Si. Para lograr esto, desarrollamos un modelo teórico que incorpora tres contribuciones clave: el efecto de localización débil, los efectos de interacción electrón-electrón y el efecto Zeeman, que se considera solo en presencia de un campo magnético. Luego comparamos nuestras predicciones teóricas con datos experimentales de magnetoconductividad, analizando tanto las consistencias como las discrepancias entre el modelo y las mediciones. A través de esta comparación, buscamos proporcionar una comprensión física más profunda de los factores que influyen en la magnetoconductividad en este sistema.

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