Modelado sobre la estructura de integración monolítica de transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/InGaN/GaN y LED: densidad de 2DEG y recombinación radiativa
Autores: An, Yuan; Ren, Kailin; Yin, Luqiao; Zhang, Jianhua
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Modelado sobre la estructura de integración monolítica de transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/InGaN/GaN y LED: densidad de 2DEG y recombinación radiativa
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
AlGaN
InGaN
Basado en GaN
HEMT
LED
2DEG
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
La estructura de integración monolítica del transistor de movilidad electrónica de alta transconductancia (HEMT) basado en AlGaN/InGaN/GaN y diodo emisor de luz (LED) es atractiva en iluminación LED y sistemas de comunicación de luz visible (VLC) debido a la reducción de elementos parásitos al eliminar las interconexiones metálicas.
Descripción
La estructura de integración monolítica del transistor de movilidad electrónica de alta transconductancia (HEMT) basado en AlGaN/InGaN/GaN y diodo emisor de luz (LED) es atractiva en iluminación LED y sistemas de comunicación de luz visible (VLC) debido a la reducción de elementos parásitos al eliminar las interconexiones metálicas.