Los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio 4H (MOSFET de 4H-SiC) muestran un comportamiento de ruido de baja frecuencia. En este documento, esto puede explicarse por la combinación de las teorías de fluctuación de movilidad () y de fluctuación del número de portadores (). La teoría cree que el LFN es generado por los defectos en masa, mientras que la teoría sostiene que el LFN se origina a partir de las trampas de óxido extraordinariamente altas. Para los MOSFET de 4H-SiC, aparecerá un ruido significativo en el umbral cuando solo la teoría intente modelar el LFN en la región de umbral. Por lo tanto, consideramos la alta densidad de defectos en masa (teoría) y caracterizamos el ruido en el umbral. El modelo teórico nos permite determinar la densidad en masa de los estados de trampa. El modelo propuesto de LFN es aplicable a los MOSFET de SiC y describe con precisión los datos experimentales de ruido en una amplia gama de regiones de operación.