Este estudio presenta un marco de modelado físico integral para fototransistores basados en dicalcogenuros de metales de transición casi bidimensionales, con un énfasis particular en MoS. Al integrar simulaciones electromagnéticas de absorción óptica con cálculos de transporte de semiconductores, el modelo captura tanto el comportamiento de corriente oscura como de fotocorriente en diversas condiciones de funcionamiento.