Debido a las crecientes tasas de defectos en dispositivos de óxido metálico semiconductor complementario (CMOS) altamente escalados, y a la aparición de dispositivos alternativos de nanotecnología, los desafíos de confiabilidad son de creciente importancia. Comprender y controlar los mecanismos de falla asociados con nuevos materiales y estructuras tanto para transistores como para interconexiones es un tema clave en los dispositivos nanonovedosos. El transistor de efecto de campo de cinta de grafeno (GNR FET) se ha revelado como una tecnología prometedora para diseñar circuitos lógicos de investigación emergentes, debido a su potencial sobresaliente en velocidad y propiedades de potencia. Este trabajo presenta un estudio de las causas, mecanismos y modelos de falla a nivel del dispositivo, así como su impacto en circuitos lógicos basados en GNR FETs. A partir de una revisión de la literatura de las causas y mecanismos de falla, se analizó la propagación de fallas y se derivaron modelos de falla para los niveles de dispositivo y circuito lógico. Este estudio puede ser útil para la prevención de fallas en el proceso de diseño de nanodispositivos de grafeno. Además, puede ayudar en el diseño y evaluación de nanoarquitecturas tolerantes a defectos y fallas basadas en circuitos de grafeno. Los resultados se comparan con otros dispositivos emergentes, como el transistor de efecto de campo de nanotubo de carbono (CNT) y el transistor de nanocable (NW).