En este trabajo, se analizan y evalúan tres modelos compactos diferentes de RRAM implementados en Verilog-A con el fin de reproducir el enfoque multinivel basado en la capacidad de conmutación de dispositivos experimentales. Estos modelos se integran en celdas 1T-1R para controlar su comportamiento analógico mediante la corriente de cumplimiento impuesta por el transistor de selección NMOS. Se simulan y evalúan cuatro niveles de resistencia diferentes con verificación experimental para tener en cuenta su capacidad multinivel. Además, se lleva a cabo un estudio de Redes Neuronales Artificiales para evaluar en un escenario real la viabilidad del enfoque multinivel en estudio.