Mitigación del martillo de 1 fila en estructuras BCAT a través de la integración de óxido enterrado e investigación de disturbios entre celdas
Autores: Kim, Yeon-Seok; Kwon, Min-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Mitigación del martillo de 1 fila en estructuras BCAT a través de la integración de óxido enterrado e investigación de disturbios entre celdas
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Memoria dinámica de acceso aleatorio
DRAM
Efecto Hammer de 1 fila
Fallas D0
Trampas interfaciales
Estructuras de dispositivos
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) es crucial para la computación de alto rendimiento debido a su velocidad y capacidad de almacenamiento.
Descripción
La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) es crucial para la computación de alto rendimiento debido a su velocidad y capacidad de almacenamiento.