Se investigó el efecto de la polarización residual (), el campo eléctrico coercitivo (), y la capacitancia parásita del dispositivo de referencia en la corriente de accionamiento (I) de un FinFET de capacitancia negativa metal-ferroeléctrico-metal-aislante-semiconductor (MFMIS). Se simuló el voltaje de puerta interno en la estructura MFMIS considerando la corriente de fuga de la puerta. Utilizando la herramienta de diseño asistido por computadora (TCAD), se estimó cuantitativamente la característica del dispositivo FinFET de 7 nm, con el propósito de modelar el dispositivo de referencia de MFMIS NC FinFET. Se presentó la necesidad de una capacitancia parásita apropiada para evitar la degradación del rendimiento en MFMIS NC FinFET a través de la estimación del voltaje de puerta interno. Con una capacitancia parásita adecuada, se investigó el efecto de y . En el caso de la ingeniería, es inapropiado mejorar el rendimiento del dispositivo para MFMIS NC FinFET sin degradación del voltaje umbral. En lugar de la ingeniería, se sugiere un valor adecuado para lograr un alto I en MFMIS NC FinFET.