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Un método mejorado de bajo costo para la estimación de la tasa de errores de bits crudos para la memoria flash NAND de alta densidad de almacenamiento

Autores: Ma, Kainan; Liu, Ming; Li, Tao; Yin, Yibo; Chen, Hongda

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

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Acceso abierto

Artículo científico
2020

Un método mejorado de bajo costo para la estimación de la tasa de errores de bits crudos para la memoria flash NAND de alta densidad de almacenamiento


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Células
Memoria flash NAND
RBER
Método de estimación
Velocidad de lectura
Códigos LDPC

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 33

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Las celdas se desgastan rápidamente en la memoria flash NAND de alta densidad de almacenamiento (HSD), por lo que es muy necesario tener un monitoreo frecuente a largo plazo y oportuno sobre los cambios en la tasa de error de bits crudos (RBER) a través de un método de estimación rápida de RBER. Dado que la memoria flash de HSD ya tiene una velocidad de lectura relativamente baja, el método no debería degradar aún más su rendimiento de lectura. Este artículo propone un método de estimación mejorado que utiliza la comparación de datos conocidos, incluye el entrelazado para equilibrar la distribución desigual de errores en la memoria flash de HSD, un módulo de estimación rápida de RBER para hacer que el RBER estimado esté altamente correlacionado linealmente con el RBER real, y estrategias de mejora para acelerar la convergencia de decodificación de códigos de paridad de baja densidad (LDPC) y así compensar la penalización de tasa causada por los datos conocidos. Los resultados experimentales muestran que cuando el RBER está cerca del límite superior del código LDPC, la eficiencia de lectura puede aumentar en un 35.8% en comparación con el caso sin penalización de tasa. El método propuesto solo ocupa en condiciones de proceso. Por lo tanto, el método rápido, de mejora del rendimiento de lectura y bajo costo tiene un gran potencial de aplicación en el monitoreo de RBER en la memoria flash de HSD.

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