La idea principal de la presente investigación es proponer un nuevo modelo de memristor con una deriva iónica altamente no lineal adecuada para simulaciones informáticas de memristores de dióxido de titanio para una gran región de voltajes de memristor. Para este propósito, se aplica una combinación de la función de ventana original de Biolek y una función de ventana sinusoidal ponderada. El nuevo modelo de memristor se basa tanto en el Modelo de Memristor de Condición de Frontera Generalizada (GBCM) como en el modelo de Biolek, pero tiene una propiedad mejorada: un mayor grado de no linealidad de la deriva iónica debido a la función de ventana sinusoidal ponderada adicional. El modelo de memristor modificado propuesto aquí se compara con el modelo de memristor de Pickett, que se utiliza aquí como modelo de referencia. Después de eso, se ajusta el modelo de Biolek modificado para que sus relaciones básicas sean casi idénticas a las del modelo de Pickett. Después de varias simulaciones de nuestro nuevo modelo, se establece que su comportamiento es similar al del realista modelo de Pickett, pero opera sin problemas de convergencia y, por lo tanto, también es adecuado para simulaciones informáticas. El modelo de memristor modificado propuesto aquí también se compara con el modelo de memristor de Joglekar y se establecen varias ventajas del nuevo modelo.