En este trabajo, presentamos un dispositivo de memoria transistor de efecto de campo orgánico basado en pentaceno (OFETM), que emplea puntos cuánticos de carbono (CQDs) incrustados en una matriz de polivinilpirrolidona (PVP) mediante un proceso de hidrotermal asistido por microondas en un solo paso, para formar una capa nanohíbrida integrada como capa de atrapamiento de carga. Los CQDs preparados son C amorfo cuasi-esférico, con tamaños que van de 5 a 20 nm, con una serie de grupos que contienen oxígeno y probablemente algunos dominios tipo grafito que producen CQDs con excelentes características de atracción de electrones. La incorporación de CQDs en materiales dieléctricos de PVP resulta en una propiedad de almacenamiento bidireccional. Al optimizar la concentración de CQDs incrustados en la matriz de PVP, el OFETM muestra excelentes características de memoria con una amplia ventana de memoria de 8.41 V bajo un voltaje de programación/borrado (P/E) de 60 V y un tiempo de retención de hasta 10 s.