Examinamos los efectos del grosor de la capa de recubrimiento de aluminio (Al) en el rendimiento eléctrico y la estabilidad de transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño (IGTO) de alta movilidad. Las capas de recubrimiento de Al con grosores (s) de 3, 5 y 8 nm fueron depositadas, respectivamente, sobre la película delgada de IGTO mediante evaporación por haz de electrones, y los TFTs de IGTO sin y con capas de recubrimiento de Al fueron sometidos a recocido térmico a 200 grados Celsius durante 1 h en aire ambiente. Entre los TFTs de IGTO sin y con capas de recubrimiento de Al, el TFT con una capa de recubrimiento de Al de 3 nm de grosor mostró un excelente rendimiento eléctrico (movilidad de efecto de campo: 26,4 cm/V s, pendiente de subumbral: 0,20 V/dec, y voltaje umbral: -1,7 V) y una mayor estabilidad eléctrica bajo tensiones de iluminación de polarización positiva y negativa que otros TFTs.