Mejorando la uniformidad de emisión de LED verticales basados en InGaN/GaN mediante el uso de un contacto n reflectante de ITO/Ag
Autores: Yum, Woong-Sun; Koo, Ji-Hyun; Lee, Dae-Hee; Kim, Young-Hoon; Jeong, Young-Kyu; Jung, Se-Yeon; Lee, Sang-Youl; Jeong, Hwan-Hee; Seong, Tae-Yeon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Mejorando la uniformidad de emisión de LED verticales basados en InGaN/GaN mediante el uso de un contacto n reflectante de ITO/Ag
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Efecto
Ti/Al
ITO/Ag
VLEDs
Salida de luz
Tamaño del chip
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Investigamos el efecto de los contactos n tipo de Ti/Al y ITO/Ag en la uniformidad de emisión y la salida de luz de diferentes diodos emisores de luz de geometría vertical de tamaño de chip para aplicación en faros de vehículos.
Descripción
Investigamos el efecto de los contactos n tipo de Ti/Al y ITO/Ag en la uniformidad de emisión y la salida de luz de diferentes diodos emisores de luz de geometría vertical de tamaño de chip para aplicación en faros de vehículos.